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參數(shù)資料
| 型號： | BC848C |
| 廠商： | Transys Electronics Ltd. |
| 英文描述： | NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型表面貼裝小信號晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BC848C |
Zowie Technology Corporation
General Purpose Transistor
NPN Silicon
BC848A,B,C
1
2
1
2
3
3
SOT-23
Rating
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
30
30
5.0
100
Characteristic
Symbol
Max.
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
o
C
C
P
D
225
1.8
556
mW
mW /
o
C
Total Device Dissipation Alumina Substrate,
(2)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
o
C
C
P
D
300
2.4
417
mW
mW /
o
C
o
C / W
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
DEVICE MARKING
BC848A=1J; BC848B=1K; BC848C=1L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
R
JA
o
C / W
o
C
R
JA
T
J,
T
STG
Collector-Emitter Breakdowe Voltage
( I
C
=10 uA, V
EB
=0 )
Collector-Base Breakdowe Voltage
( I
C
=10 uA )
Collector-Emitter Breakdowe Voltage
( I
C
=10mA )
Emitter-Base Breakdowe Voltage
( I
E
=1.0 uA )
Symbol
V
(BR)CES
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
Min.
30
30
30
5.0
-
-
Max.
-
-
-
-
15
5.0
Typ.
-
-
-
-
-
-
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
uAdc
Collector Cutoff Current
( V
CB
=30 V )
( V
CB
=30 V, T
A
= 150
o
C )
-55 to +150
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
EMITTER
BASE
COLLECTOR
(1) FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062in.
(2) Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024in. 99.5% alumina.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848B | High Speed CMOS Logic Quad D-Type Flip-Flop with Reset 16-SOIC -55 to 125 |
| BC848C | High Speed CMOS Logic Dual 4-Input NAND Gates 14-SOIC -55 to 125 |
| BC849B-2B | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC858 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC858A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC848C _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC848C RFG | 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BC848C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 |
| BC848C_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC848C-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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