參數(shù)資料
型號(hào): BC848BWT106
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SC - 70
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代理商: BC848BWT106
BC848BW / BC848B / BC848C
Transistors
5/5
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
30Hz
0.01
0.1
1
10
10k
1k
100k
100
R
S
-
)
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.20 Noise characteristics ( )
1d
8B
3B
5B
N
=
1B
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
1kHz
0.01
0.1
1
10
10k
1k
100k
100
R
S
-
)
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.21 Noise characteristics ( )
1d
8B
3B
5B
N
=
1B
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
10kHz
0.01
0.1
1
10
10k
1k
100k
100
R
S
-
)
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.22
Noise characteristics ( )
8B
3B
5B
N
=
1B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848T NPN general purpose transistors
BC848C-MR TRANSISTOR BC848C MINIREEL 500PCS
BC848CT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC848 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC848A-1JZ SOT23 NPN SILICON PLANAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848BWT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848BW-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A T/R
BC848C 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848C _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC848C RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000