參數(shù)資料
型號： BC848BWT106
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SC - 70
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代理商： BC848BWT106
BC848BW / BC848B / BC848C
Transistors
4/5
Ta
=
25
°
C
V
CC
40V
I
C
=
101
B1
=
101
B2
1.0
10
100
100
1000
10
t
f
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.12 Fall time vs. collector
current
Ta
25
°
C
f
=
1MHz
0.5
1
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
Fig.13 Input/output capacitance
vs. voltage
10
50
10
100
1
C
Cib
Cob
Ta
=
25
°
C
0.5
10
100
500
5.0
50
0.5
V
C
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.14 Gain bandwidth product
400MHz
400MHz
300MHz
200MHz
100MHz
300MHz
200MHz
100MHz
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
0.5 1.0
10
100
500
100
1000
C
(
10
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.15 Gain bandwidth product
vs. collector current
Ta
=
25
°
C
V
CE
6V
f
=
270Hz
0.1
1
10
100
10
1
100
0.1
h
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.16 h parameter
vs. collector current
hfe
hfe
hre
hoe
hoe
hie
hie
hre
I
C
=
1mA
hie
=
7.8k
hfe
=
280
hre
=
4.5
×
10
5
hoe
=
7.5
μ
S
V
CB
=
30V
0
75
25
50
100
125
150
100P
10P
1P
10n
1n
0.1P
I
C
-
T
A
-AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Fig.17 Collector cutoff current
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
I
C
=
100
μ
A
R
S
=
10k
10
1k
100
10k
100k
6
12
10
8
4
2
0
N
f-FREQUENCY (Hz)
Fig.18 Noise vs. collector current
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
10Hz
0.01
0.1
1
10
10k
1k
100k
100
R
S
-
)
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.19 Noise characteristics ( )
1d
8B
3B
5B
N
=
1B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848T NPN general purpose transistors
BC848C-MR TRANSISTOR BC848C MINIREEL 500PCS
BC848CT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC848 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC848A-1JZ SOT23 NPN SILICON PLANAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848BWT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848BW-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A T/R
BC848C 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848C _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC848C RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
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