參數(shù)資料
型號： BC847BV
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 60K
代理商： BC847BV
DS30274 Rev. A-2
3 of 3
BC847AT, BT, CT
1
10
100
1000
1.0
10
100
0.1
0.01
h
D
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2, DC Current Gain vs Collector Current
V
= 5V
CE
100 C
T = 25 C
-50 C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.1
1.0
10
100
V
,
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, Collector Saturation Voltage vs Collector Current
I / I = 20
T = 100 C
25 C
-50 C
10
100
1000
0.1
1.0
10
100
f
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4, Gain Bandwidth Product vs Collector Current
T = 25 C
V
= 10V
CE
5V
2V
0
100
150
50
200
250
0
100
200
P
d
Fig. 1, Power Derating Curve
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
(see Note 1)
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BC847CT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC847CT-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523
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參數(shù)描述
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BC847BV,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847BV,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847BV_11 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Plastic-Encapsulate Transistors
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