參數資料
型號： BC847BV
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 60K
代理商： BC847BV
DS30274 Rev. A-2
2 of 3
BC847AT, BT, CT
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
DC Current Gain (Note 3)
Current Gain A
B
C
Current Gain A
B
C
h
FE
—
—
—
110
200
420
—
150
270
—
290
520
—
—
—
220
450
800
—
V
CE
= 5.0V, I
C
= 2.0mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
V
CE(SAT)
—
—
250
600
mV
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5.0mA
Base-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
V
BE(SAT)
—
700
900
—
mV
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5.0mA
Base-Emitter Voltage (Note 3)
V
BE
580
—
660
—
700
770
mV
V
CE
= 5.0V, I
C
= 2.0mA
V
CE
=5.0V, I
C
= 10mA
Collector-Emitter Cutoff Current (Note 3)
I
CBO
I
CBO
—
—
15
5.0
nA
μA
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V, T
A
= 150°C
Gain Bandwidth Product
f
T
100
—
—
MHz
V
CE
= 5.0V, I
C
= 10mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
C
OBO
—
—
4.5
pF
V
CB
= 10V, f = 1.0MHz
BC847BT
Noise Figure BC847CT
NF
—
—
10
4.0
dB
V
CE
= 5V, R
S
= 2.0k
f = 1.0kHz, BW= 200Hz
N
Notes:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
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PDF描述
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參數描述
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BC847BV115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BJT ARRAY DUAL NPN 45V 100MA 6-SOT-6
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