參數(shù)資料
型號： BC847BDW
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： General Purpose Transistor NPN Duals
中文描述： 通用晶體管npn型偶
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 170K
代理商： BC847BDW
General Purpose Transistor
NPN Duals
Maximum Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC846
65
80
6.0
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
Rating
BC846BDW=1B, BC847BDW=1F, BC848CDW=1L
Device Marking
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846BDW Series
Total Device Dissipation Per Device
FR-5 Board(1) A
Derate Above 25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature
Characteristics
TJ,Tstg
PD
Symbol
Max
380
250
3.0
328
-55 to +150
Unit
mW
mW/ C
C/W
C
Thermal Characteristics
R JA
Note:
FR-5=1.0 0.75 0.062 in
SOT-363(SC-88)
3
4
5
1
2
6
NPN+NPN
123
654
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848CDW General Purpose Transistor NPN Duals
BC846B GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
BC846B NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846A NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846B NPN Small Signal Transistor 310mW
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847BDW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847BDW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847BDW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN DUAL 45V SOT3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, SOT3
BC847BDW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847BDW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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