參數(shù)資料
型號： BC846B
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Small Signal Transistor 310mW
中文描述： 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 61K
代理商： BC846B
Zowie Technology Corporation
General Purpose Transistor
NPN Silicon
BC846A,B
1
2
1
2
3
3
SOT-23
Rating
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
65
80
6.0
100
Characteristic
Symbol
Max.
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
o
C
C
P
D
225
1.8
556
mW
mW /
o
C
Total Device Dissipation Alumina Substrate,
(2)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
o
C
C
P
D
300
2.4
417
mW
mW /
o
C
o
C / W
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
DEVICE MARKING
BC846A = 1A,BC846B = 1B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
R
JA
o
C / W
o
C
R
JA
T
J,
T
STG
Collector-Emitter Breakdowe Voltage
( I
C
=10 uAdc, V
EB
=0 )
Collector-Base Breakdowe Voltage
( I
C
=10 uAdc )
Collector-Emitter Breakdowe Voltage
( I
C
=10mAdc )
Emitter-Base Breakdowe Voltage
( I
E
=1.0 uA )
Symbol
V
(BR)CES
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
Min.
80
65
80
6.0
-
-
Max.
-
-
-
-
15
5.0
Typ.
-
-
-
-
-
-
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
uAdc
Collector Cutoff Current
( V
CB
=30 V )
( V
CB
=30 V, T
A
= 150
o
C )
-55 to +150
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
EMITTER
BASE
COLLECTOR
(1) FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062in.
(2) Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024in. 99.5% alumina.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846A NPN Small Signal Transistor 310mW
BC846B NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846A NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846A GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
BC847A High Speed CMOS Logic Dual 4-Input Multiplexers 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC846B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC846B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC846B RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1
BC846B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP 100MA 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC846B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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