參數(shù)資料
型號： BC846BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 65伏，100毫安NPN型通用晶體管
封裝： BC846<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC846A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;B
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 373K
代理商： BC846BT
BC846_BC546_SER_7
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 17 November 2009
7 of 14
NXP Semiconductors
BC846/BC546 series
65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 5.
Selection B: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 6.
Selection B: Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 7.
Selection B: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 8.
Selection B: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
mgt727
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
600
h
FE
500
400
300
200
100
(1)
(2)
(3)
0
10
2
1200
1000
800
600
400
200
mgt728
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
4
10
3
10
2
10
10
1
mgt729
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt730
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846W 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847DS 45 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC847U NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847 Small Signal NPN Transistors(小信號NPN晶體管)
BC847 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC846BT T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC846BT TR 功能描述:TRANS NPN 65V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC846BT,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC846BT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC846BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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