參數(shù)資料
型號(hào)： BC846BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 65伏，100毫安NPN型通用晶體管
封裝： BC846<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC846A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;B
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大小： 373K
代理商： BC846BT
BC846_BC546_SER_7
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 17 November 2009
4 of 14
NXP Semiconductors
BC846/BC546 series
65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
5.
Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
6.
Thermal characteristics
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
80
65
6
100
200
Unit
V
V
V
mA
mA
single pulse;
t
p
≤
1 ms
single pulse;
t
p
≤
1 ms
T
amb
≤
25
°
C
I
BM
peak base current
-
200
mA
P
tot
total power dissipation
SOT23
SOT323
SOT416
SOT54
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
[1]
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
500
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
T
j
T
amb
T
stg
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
SOT23
SOT323
SOT416
SOT54
Conditions
in free air
Min
Typ
Max
Unit
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
250
K/W
K/W
K/W
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846W 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847DS 45 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC847U NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847 Small Signal NPN Transistors(小信號(hào)NPN晶體管)
BC847 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC846BT T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC846BT TR 功能描述:TRANS NPN 65V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC846BT,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC846BT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC846BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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