參數(shù)資料
型號(hào)： BC817
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 45伏，500毫安NPN型通用晶體管
封裝： BC817<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC817<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： BC817
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
5 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
V
BE
decreases by approximately 2 mV/K with increasing temperature.
[2]
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off current
Characteristics
Conditions
I
E
= 0 A; V
CB
= 20 V
I
E
= 0 A; V
CB
= 20 V;
T
j
= 150
°
C
I
C
= 0 A; V
EB
= 5 V
I
C
= 100 mA; V
CE
= 1 V
Min
-
-
Typ
-
-
Max
100
5
Unit
nA
μ
A
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
BC817; BC817W; BC337
BC817-16; BC817-16W;
BC337-16
BC817-25; BC817-25W;
BC337-25
BC817-40; BC817-40W;
BC337-40
DC current gain
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
-
-
100
nA
[1]
100
100
-
-
600
250
160
-
400
250
-
600
h
FE
V
CEsat
I
C
= 500 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
[1]
40
-
-
-
700
[1]
-
mV
V
BE
C
c
I
C
= 500 mA; V
CE
= 1 V
I
E
= i
e
= 0 A; V
CB
= 10 V;
f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V;
f = 100 MHz
[2]
-
-
3
1.2
-
V
pF
-
f
T
transition frequency
100
-
-
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC818F NPN Silicon Transistor (High current application Switching application)
BC846BPN 65 V, 100 mA NPN-PNP general-purpose transistor
BC846BS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846DS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846S High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC817 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
BC817.16 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*