參數(shù)資料
型號(hào)： BC817
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 45伏，500毫安NPN型通用晶體管
封裝： BC817<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC817<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC
文件頁(yè)數(shù)： 4/19頁(yè)
文件大小： 236K
代理商： BC817
BC817_BC817W_BC337_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
4 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
5.
Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Valid for all available selection groups.
6.
Thermal characteristics
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Valid for all available selection groups.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base;
I
C
= 10 mA
open collector
Min
-
-
Max
50
45
Unit
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
BC817
BC817W
BC337
storage temperature
junction temperature
ambient temperature
-
-
-
-
5
500
1
200
V
mA
A
mA
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
[1][2]
-
250
200
625
+150
150
+150
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
[1][2]
-
[1][2]
-
T
stg
T
j
T
amb
65
-
65
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
BC817
BC817W
BC337
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
[1][2]
-
-
-
-
500
625
200
K/W
K/W
K/W
[1][2]
-
[1][2]
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC818F NPN Silicon Transistor (High current application Switching application)
BC846BPN 65 V, 100 mA NPN-PNP general-purpose transistor
BC846BS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846DS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846S High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC817 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
BC817.16 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
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