參數(shù)資料
型號： BC807-40W
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 174K
代理商： BC807-40W
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
5
General Purpose Transistors
BC 807W / BC 808W
Characteristics, T
j
= 25 C
Kennwerte, T
j
= 25 C
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspg.
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
- V
CEsat
–
–
0.7 V
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
- V
BEsat
–
–
1.3 V
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
- V
BE
–
–
1.2 V
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V, T
j
= 150 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
- I
CB0
- I
CB0
–
–
100 nA
–
–
5 A
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- I
EB0
–
–
100 nA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
f
T
80 MHz
100 MHz
–
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
C
CB0
–
10 pF
–
R
thA
620 K/W
1
)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
BC 817W / BC 818W
Marking of available current gain
groups per type
Stempelung der lieferbaren Strom
verstrkungsgruppen pro Typ
BC 807-16W = 5A
BC 807-25W = 5B
BC 807-40W = 5C
BC 807W = 5D
BC 808-16W = 5E
BC 808-25W = 5F
BC 808-40W = 5G
BC 808W = 5H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC807W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808-16W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808-25W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808F PNP Silicon Transistor (High current application Switching application)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC807-40W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807-40W RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807-40W RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, 0.5A, 250 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC807-40W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807-40W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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