參數(shù)資料
型號： BC807W
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： BC807W
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
4
01.11.2003
1
2
3
Type
Code
2
±
2
±0.1
1
±0.1
1
±
0.3
1.3
BC 807W / BC 808W
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
PNP
Power dissipation – Verlustleistung
225 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
1 = B
2 = E
3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25 C)
Grenzwerte
(T
A
= 25 C)
BC 807W
BC 808W
Collector-Emitter-voltage
B open
- V
CE0
- V
CES
- V
CB0
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
45 V
25 V
Collector-Emitter-voltage
B shorted
50 V
30 V
Collector-Base-voltage
E open
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage
C open
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
225 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (DC)
500 mA
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom
1000 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
1000 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
150 C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- 65…+ 150 C
Characteristics, T
j
= 25 C
Kennwerte, T
j
= 25 C
Typ.
Min.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
BC807W
BC808W
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
–
600
40
–
–
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
Group -16W
100
160
250
Group -25W
160
250
400
Group -40W
250
400
600
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC808W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808-16W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808-25W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808F PNP Silicon Transistor (High current application Switching application)
BC817-16-AE3-R NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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參數(shù)描述
BC807W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807W115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BC807W116 制造商:PHILIPS 功能描述:*
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