| 型號(hào): | BC559 |
| 英文描述: | PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 中文描述: | 進(jìn)步黨硅自動(dòng)對(duì)焦小信號(hào)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商: | BC559 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC559 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC559B | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC559C | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC559 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE) |
| BC559 | Small Signal Transistors (PNP) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC559/D | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Low Noise Transistors |
| BC559_99 | 制造商:KEC 制造商全稱(chēng):KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| BC559_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC559_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |