參數(shù)資料
型號： BC559B
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 10D3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC559B
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 03
1999 May 28
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC559
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC559C Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC559 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE)
BC559 Small Signal Transistors (PNP)
BC618RL1 512Mb Mobile SDRAM
BC618 NPN Darlington transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC559B/E7 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SS SOT23 GP XSTR NPN 40V - Tape and Reel
BC559B\E6 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Audio Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC559B_D11Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC559B_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC559B_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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