參數(shù)資料
型號(hào)： BC327J05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BC327J05Z
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
B
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Static Characteristic
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Gain Bandwidth Product
-1
-2
-3
-4
-5
-0
-100
-200
-300
-400
-500
P
T
= 600mW
I
B
I
B
= - 2.0mA
I
B
I
B
= - 2.5mA
I
B
= - 1.0mA
I
B
= - 1.5mA
I
B
= - 0.5mA
I
B
I
B
I
B
= - 3.0mA
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-10
-20
-30
-40
-50
-4
-8
-12
-16
-20
P
T
= 600mW
I
B
= - 80
μ
A
I
B
= - 70
μ
A
I
B
= - 60
μ
A
I
B
= - 50
μ
A
I
B
= - 40
μ
A
I
B
= - 30
μ
A
I
B
= - 20
μ
A
I
B
= - 10
μ
A
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.1
-1
-10
-100
-1000
1
10
100
1000
PULSE
- 1.0V
V
CE
= - 2.0V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
PULSE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-0.1
-1
-10
-100
-1000
V
CE
= -1V
PULSE
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
-1
-10
-100
10
100
1000
V
CE
= -5.0V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC546RLRP 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC548B 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557C 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638-AP 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC808-16W-E6433 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC327RL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*