參數(shù)資料
型號: BC238
廠商: KEC Holdings
英文描述: Epitaxial Planar NPN Transistor(General Purpose Application,Low Noise Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(通用型,低噪聲放大器應(yīng)用))
中文描述: 外延平面NPN晶體管(通用應(yīng)用程序,低噪聲放大器的應(yīng)用)(外延平面npn型晶體管(通用型,低噪聲放大器應(yīng)用))
文件頁數(shù): 1/2頁
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代理商: BC238
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC307 Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose,Low Noise Amplifier Application)(外延平面PNP晶體管(通用低噪聲放大器應(yīng)用))
BC308 Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose,Low Noise Amplifier Application)(外延平面PNP晶體管(通用低噪聲放大器應(yīng)用))
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BC3200 Silicon-Bridge Rectifiers
BC347-TO-92 TRANSISTOR (NPN)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC238 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
BC238_98 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC238_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC238_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC238A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2