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參數資料
| 型號： | BC308 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose，Low Noise Amplifier Application)(外延平面PNP晶體管（通用低噪聲放大器應用）) |
| 中文描述： | 外延平面PNP晶體管（通用型，低噪聲放大器的應用）（外延平面晶體管進步黨（通用低噪聲放大器應用）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | BC308 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC309 | Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose，Low Noise Amplifier Application)(外延平面PNP晶體管（通用低噪聲放大器應用）) |
| BC3200 | Silicon-Bridge Rectifiers |
| BC347-TO-92 | TRANSISTOR (NPN) |
| BC350-TO-92 | TRANSISTOR (PNP) |
| BC4004B | COB with metal frame 5x7 dots with cursor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC308_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC308_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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