參數(shù)資料
型號(hào)： BAS21VD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-voltage switching diodes
中文描述： 高壓開關(guān)二極管
封裝： BAS21VD<SOT457 (TSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT457.html<1<week 22, 2003,;BAS21VD<SOT457 (TSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT457.html<1<Always Pb-free,
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代理商： BAS21VD
BAS21VD
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Product data sheet
Rev. 2 — 29 June 2011
6 of 12
NXP Semiconductors
BAS21VD
High-voltage switching diodes
8. Test information
8.1 Quality information
This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard
Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors
, and is
suitable for use in automotive applications.
9. Package outline
(1) I
R
= 3 mA
Fig 7.
Reverse recovery time test circuit and waveforms
trr
(1)
+
I
F
t
output signal
t
r
t
p
t
10 %
90 %
V
R
input signal
V = V
R
+
I
F
×
R
S
R
S
= 50
Ω
I
F
D.U.T.
R
i
= 50
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
Fig 8.
Package outline SOT457 (SC-74)
04-11-08
Dimensions in mm
3.0
2.5
1.7
1.3
3.1
2.7
pin 1 index
1.9
0.26
0.10
0.40
0.25
0.95
1.1
0.9
0.6
0.2
1
3
2
4
5
6
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BAS21VD /T2 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TRPL TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21VD /T3 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TRIPLE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21VD,135 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TRIPLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21VD,165 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TRPL TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21-V-G 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, High Voltage
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