參數(shù)資料
型號： BAS16VV
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed switching diodes
中文描述： 高速開關(guān)二極管
封裝： BAS16<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BAS16<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BA
文件頁數(shù)： 18/20頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： BAS16VV
BAS16_SER_5
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 25 August 2008
18 of 20
NXP Semiconductors
BAS16 series
High-speed switching diodes
12. Revision history
Table 10.
Document ID
BAS16_SER_5
Revision history
Release date
20080825
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BAS16_4
BAS16H_1
BAS16J_1
BAS16L_1
BAS16T_1
BAS16VV_BAS16VY_3
BAS16W_4
BAS316_4
BAS516_1
Modifications:
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Table 5 “Marking codes”
: marking code amended for BAS16W
Table 6 “Limiting values”
: for BAS16, BAS16T, BAS16W and BAS516 change of
V
RRM
maximum value from 85 V to 100 V
Table 6 “Limiting values”
: for BAS16, BAS16L, BAS16T, BAS16W and BAS516 change of
V
R
maximum value from 75 V to 100 V
Table 8 “Characteristics”
: change of I
R
condition V
R
from 75 V to 80 V for T
j
= 25
°
C
Table 8 “Characteristics”
: change of I
R
maximum value from 1.0
μ
A to 0.5
μ
A for V
R
= 80 V
and T
j
= 25
°
C
Table 8 “Characteristics”
: change of I
R
condition V
R
from 75 V to 80 V for T
j
= 150
°
C
Section 13 “Legal information”
: updated
20011010
Product specification
20050415
Product data sheet
20070308
Product data sheet
20030623
Product specification
19980120
Product specification
20070420
Product data sheet
19990506
Product specification
20040204
Product specification
19980831
Product specification
BAS16_4
BAS16H_1
BAS16J_1
BAS16L_1
BAS16T_1
BAS16VV_BAS16VY_3
BAS16W_4
BAS316_4
BAS516_1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BAS16_3
-
-
-
-
BAS16VV_BAS16VY_2
BAS16W_3
BAS316_3
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS16V DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAS16V-7 DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAS16W-7-F SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS16WS-V-GS08 Diode Small Signal Switching 100V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R
BAS16WS-V-GS18 SWITCHING DIODE GENPURP SOD323-E3 - Tape and Reel
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAS16VV T/R 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TRIPLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS16VV,115 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TRIPLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS16VV115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRAFAST 200MA 100V
BAS16VV-7 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 1.5pF 4ns Switching 100V Diode Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS16VY 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCHING, SOT-363
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