參數(shù)資料
型號: BAQ35
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Planar Diodes
中文描述: 硅平面二極管
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大小: 48K
代理商: BAQ35
BAQ33...BAQ35
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
2 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85537
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
1
10
100
1000
10000
I
R
200
94 9079
Scattering Limit
V
R
=V
RRM
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9078
Scattering Limit
T
j
=25
°
C
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Dimensions in mm
96 12070
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PDF描述
BAR19 Small Signal Schottky Diode(小信號肖特基二極管)
BAR63V-02V-GS08 RF PIN Diode - Single in SOD-523
BAR63V-02V-GS18 RF PIN Diode - Single in SOD-523
BAR65V-02V-GS08 RF PIN Diode
BAS16-V-GS08 Diode Small Signal Switching 75V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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參數(shù)描述
BAQ35-GS08 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 125 Volt 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAQ35-GS18 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAQ800 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:AM PIN diode
BAQ800/A52A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE PIN AM
BAQ806 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:AM PIN diode