型號: | BAQ335 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | Silicon Planar Diodes |
中文描述: | 硅平面二極管 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 54K |
代理商: | BAQ335 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BAQ34 | Silicon Planar Diodes |
BAQ35 | Silicon Planar Diodes |
BAR19 | Small Signal Schottky Diode(小信號肖特基二極管) |
BAR63V-02V-GS08 | RF PIN Diode - Single in SOD-523 |
BAR63V-02V-GS18 | RF PIN Diode - Single in SOD-523 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BAQ335-TR | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAQ335-TR3 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAQ33B | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, Low Leakage Current |
BAQ33-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAQ33-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |