| 型號: | BAQ33-GS18 |
| 廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | SWITCHING DIODE GENPURP MINIMELF-E2 - Tape and Reel |
| 中文描述: | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商: | BAQ33-GS18 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAQ34-GS18 | Diode Small Signal Switching 70V 0.2A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R |
| BAQ35-GS18 | SWITCHING DIODE GENPURP MINIMELF-E2 - Tape and Reel |
| BAQ333 | ER 3C 3#16S SKT RECP |
| BAQ334 | Circular Connector; No. of Contacts:4; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:14S; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:14S-2 RoHS Compliant: No |
| BAQ335 | Silicon Planar Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAQ34 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, Low Leakage Current |
| BAQ34-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAQ34-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAQ35 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, Low Leakage Current |
| BAQ35-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 125 Volt 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |