參數(shù)資料
型號(hào)： B123ES
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
中文描述： 進(jìn)步黨500個(gè)，50 V電阻毫安裝備晶體管R1 \u003d 2.2千瓦，R2的\u003d 2.2千瓦
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： B123ES
9397 750 14904
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
6 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123E series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
8.
Package outline
Fig 5.
Package outline SOT346 (SC-59A/TO-236)
Fig 6.
Package outline SOT54 (SC-43A/TO-92)
Fig 7.
Package outline SOT54A
Fig 8.
Package outline SOT54 variant
Fig 9.
Package outline SOT23 (TO-236AB)
04-11-11
Dimensions in mm
3.0
2.5
1.7
1.3
0.26
0.10
1
2
3
1.9
0.50
0.35
1.3
1.0
3.1
2.7
0.6
0.2
04-11-16
Dimensions in mm
5.2
5.0
14.5
12.7
4.8
4.4
4.2
3.6
0.45
0.38
0.48
0.40
1.27
2.54
3
2
1
04-06-28
Dimensions in mm
5.2
5.0
14.5
12.7
4.8
4.4
4.2
3.6
0.45
0.38
0.48
0.40
2.54
5.08
3 max
3
2
1
05-01-10
Dimensions in mm
5.2
5.0
14.5
12.7
4.8
4.4
4.2
3.6
0.45
0.38
0.48
0.40
1.27
1.27
2.54
2.5
max
3
2
1
04-11-04
Dimensions in mm
0.45
0.15
1.9
1.1
0.9
3.0
2.8
2.5
2.1
1.4
1.2
0.48
0.38
0.15
0.09
1
2
3
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PDF描述
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參數(shù)描述
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