BSO220N03MD G

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共57條
上一頁 1 2

您是不是要找： BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1

BSO220N03MD G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSO220N03MD G PDF下載

功能描述
MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSO220N03MD G 技術(shù)參數(shù)

BSO215C 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 3.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:246pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO211PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 44μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1