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BSP125L6433HTMA1

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    BSP125L6433HTMA1

    BSP125L6433HTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
BSP125L6433HTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSP125L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP125H6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:* 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP125H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP125 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP125 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135 E6327 BSP135 E6906 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327
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