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BSO211PNTMA1

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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  • BSO211PNTMA1
    BSO211PNTMA1

    BSO211PNTMA1

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 0

  • Infineon

  • SMD

  • 23+

  • -

  • 原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)絕對優(yōu)勢

  • BSO211PNTMA1
    BSO211PNTMA1

    BSO211PNTMA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • BSO211PNTMA1
    BSO211PNTMA1

    BSO211PNTMA1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Infineon Technologies

  • MOSFET 2P-CH 20V 4.7

  • 22+

  • -

  • BSO211PNTMA1
    BSO211PNTMA1

    BSO211PNTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
BSO211PNTMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 8-Pin DSO
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
BSO211PNTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 44μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO204PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 60μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1513pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO203SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2265pF @ 15V 功率 - 最大值:2.35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV
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