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BZX55F12-TAP

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  • 型號
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  • 廠商
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BZX55F12-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • vishay semiconductor diodes division
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 上次購買時間
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)
  • 12V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 20 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 9.1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
BZX55F12-TAP 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55F11-TR 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F10-TAP 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX55C9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C9V1_T50R 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F20-TR BZX55F22-TAP BZX55F22-TR BZX55F24-TAP BZX55F27-TAP BZX55F27-TR BZX55F2V4-TAP BZX55F2V4-TR BZX55F2V7-TAP BZX55F30-TR BZX55F33-TAP BZX55F33-TR BZX55F36-TAP BZX55F36-TR BZX55F3V0-TAP BZX55F3V3-TAP BZX55F3V6-TAP BZX55F3V6-TR
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