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BZX55F6V8-TAP

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BZX55F6V8-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • vishay semiconductor diodes division
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 上次購買時間
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)
  • 6.8V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 8 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 3V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
BZX55F6V8-TAP 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55F6V2-TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F6V2-TAP 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F5V6-TR 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F5V6-TAP 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F5V1-TR 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX584B12 RKG BZX584B13 RKG BZX584B15 RKG BZX584B16 RKG BZX584B18 RKG BZX584B20 RKG BZX584B4V7 RKG BZX584B5V1 RKG BZX584B5V1 RSG BZX584B5V6 RKG BZX584B5V6 RSG BZX584B6V2 RKG BZX584B6V2 RSG BZX584B6V8 RKG BZX584B6V8 RSG BZX584B7V5 RKG BZX584B7V5 RSG BZX584B8V2 RKG
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