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BZX55F8V2-TAP

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 價格
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  • BZX55F8V2-TAP
    BZX55F8V2-TAP

    BZX55F8V2-TAP

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • GENERALSEMICONDUCTOR

  • 07+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BZX55F8V2-TAP
    BZX55F8V2-TAP

    BZX55F8V2-TAP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • GENERALSEMI

  • 標準封裝

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BZX55F8V2-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • vishay semiconductor diodes division
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 上次購買時間
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 8.2V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 7 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 6.2V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 10,000
BZX55F8V2-TAP 技術參數(shù)
  • BZX55F7V5-TR 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F7V5-TAP 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F6V8-TR 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F6V8-TAP 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F6V2-TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX584B18 RKG BZX584B20 RKG BZX584B4V7 RKG BZX584B5V1 RKG BZX584B5V1 RSG BZX584B5V6 RKG BZX584B5V6 RSG BZX584B6V2 RKG BZX584B6V2 RSG BZX584B6V8 RKG BZX584B6V8 RSG BZX584B7V5 RKG BZX584B7V5 RSG BZX584B8V2 RKG BZX584B8V2 RSG BZX584B9V1 RKG BZX584B9V1 RSG BZX584C10-V-G-08
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