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BSO130P03SNTMA1

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  • BSO130P03SNTMA1
    BSO130P03SNTMA1

    BSO130P03SNTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin DSO
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8
BSO130P03SNTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSO130P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.2A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 140μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3520pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO130P03S H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 140μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO130N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO119N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.9 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO110N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 12.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1
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