BSO203PNTMA1

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BSO203PNTMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
P-DSO-8
19+
-
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BSO203PNTMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 8-Pin DSO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC

BSO203PNTMA1 技術(shù)參數(shù)

BSO203PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO201SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:128nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5962pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO201SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9600pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 BSO201SP H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9600pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO200P03SNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804