參數(shù)資料
型號： ATP201
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 256K
代理商： ATP201
ATP201
No. A1547-2/4
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
1.2
2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=18A
24
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=18A, VGS=10V
13
17
mΩ
RDS(on)2
ID=9A, VGS=4.5V
23
33
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=10V, f=1MHz
985
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=10V, f=1MHz
180
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=10V, f=1MHz
100
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
10
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
230
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
51
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
39
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=15V, VGS=10V, ID=35A
17
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=15V, VGS=10V, ID=35A
4.7
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=15V, VGS=10V, ID=35A
2.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=35A, VGS=0V
0.97
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=18A
RL=0.83Ω
VDD=15V
VOUT
ATP201
VIN
10V
0V
VIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATP201 35 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP206 40 A, 40 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP206 40 A, 40 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP208 90 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP208 90 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATP201_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP201-TL-H 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ATP201-V-TL-H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ATP202 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP202_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*