參數(shù)資料
型號(hào)： AT28HC64B-70SC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： High Speed CMOS Logic Dual Binary Up-Counters 16-SOIC -55 to 125
中文描述： 8K X 8 EEPROM 5V, 70 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 661K
代理商： AT28HC64B-70SC
AT28HC64B
64K (8K x 8)
High Speed
CMOS
E
2
PROM with
Page Write and
Software Data
Protection
Features
Fast Read Access Time - 55 ns
Automatic Page Write Operation
Internal Address and Data Latches for 64-Bytes
Fast Write Cycle Times
Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum
1 to 64-Byte Page Write Operation
Low Power Dissipation
40 mA Active Current
100
μ
A CMOS Standby Current
Hardware and Software Data Protection
DATA Polling and Toggle Bit for End of Write Detection
High Reliability CMOS Technology
Endurance: 100,000 Cycles
Data Retention: 10 Years
Single 5V
±
10% Supply
CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs
JEDEC Approved Byte-Wide Pinout
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Note: PLCC package pins 1 and
17 are DON’T CONNECT.
PDIP, SOIC
Top View
PLCC
Top View
Pin Name
Function
A0 - A12
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
NC
No Connect
DC
Don’t Connect
Pin Configurations
TSOP
Top View
Description
The AT28HC64B is a high-performance electrically erasable and programmable read
only memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits.
Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers
access times to 55 ns with power dissipation of just 220 mW. When the device is
deselected, the CMOS standby current is less than 100
μ
A.
The AT28HC64B is accessed like a Static RAM for the read or write cycle without the
need for external components. The device contains a 64-byte page register to allow
(continued)
0274D
AT28HC64B
2-267
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT28HC64B-70SI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28HC64B-70TC High Speed CMOS Logic Dual Binary Up-Counters 16-SOIC -55 to 125
AT28HC64B-120 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28HC64B-12JC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28HC64B-12JI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT28HC64B-70SI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M 5V SDP - 70NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28HC64B-70SU 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 PRLLEL 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28HC64B-70SUSL383 制造商:Adesto Technologies Corporation 功能描述:
AT28HC64B-70SU-T 功能描述:IC EEPROM 64KBIT 70NS 28SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲(chǔ)容量:64Kb （8K x 8） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):10ms 訪問(wèn)時(shí)間:70ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:28-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AT28HC64B-70TC 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M 5V SDP- 70NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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