| 型號: | AT28BV64B-20TC |
| 廠商: | ATMEL CORP |
| 元件分類: | DRAM |
| 英文描述: | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
| 中文描述: | 8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28 |
| 封裝: | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28 |
| 文件頁數(shù): | 1/12頁 |
| 文件大小: | 254K |
| 代理商: | AT28BV64B-20TC |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AT28BV64B-20TI | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
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| AT28BV64 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28BV64-30 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AT28BV64B-20TI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 200NS IND TEMP PKG- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28BV64B-20TU | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K 8K x 8 200 ns 2.7V-3.6V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28BV64B-20TU SL383 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM PARALLEL 64KBIT 8KX8 3.3V 28TSOP - Tape and Reel |
| AT28BV64B-20TU-T | 功能描述:200NS, TSOP, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:64Kb (8K x 8) 寫周期時(shí)間 - 字,頁:10ms 訪問時(shí)間:200ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-TSSOP(0.465",11.80mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:28-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AT28BV64B-25JC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 200NS IND TEMP PKG- 250NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |