參數(shù)資料
型號(hào)： AT28BV64B-25JC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection
中文描述： 8K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： AT28BV64B-25JC
1
Features
Single 2.7V to 3.6V Supply
Hardware and Software Data Protection
Low Power Dissipation
– 15 mA Active Current
– 20
μA CMOS Standby Current
Fast Read Access Time - 200 ns
Automatic Page Write Operation
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes
– Internal Control Timer
Fast Write Cycle Times
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum
– 1 to 64 Byte Page Write Operation
DATA Polling for End of Write Detection
High-reliability CMOS Technology
– Endurance: 100,000 Cycles
– Data Retention: 10 Years
JEDEC Approved Byte-wide Pinout
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Description
The AT28BV64B is a high-performance electrically erasable programmable read only
memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manu-
factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers
access times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is
deselected, the CMOS standby current is less than 20
μA.
64K (8K x 8)
Battery-Voltage
Parallel EEPROM
with Page Write
and Software
Data Protection
AT28BV64B
Rev. 0299F
–05/28/99
3-Volt, 64K
E
2
PROM with
Data Protection
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A12
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
NC
No Connect
DC
Don’t Connect
PDIP, SOIC
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GND
VCC
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TSOP
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CE
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GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
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PLCC
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Note:
PLCC package pins 1 and 17
are DON’T CONNECT.
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D
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A
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N
D
V
W
N
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT28BV64B-25JI 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection
AT28BV64 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30JC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30JI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT28BV64B-25JI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 200NS IND TEMP PKG- 250NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28BV64B-25PC 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 200NS IND TEMP PKG- 250NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28BV64B-25PI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 200NS IND TEMP PKG- 250NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28BV64B-25SC 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 200NS IND TEMP PKG- 250NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28BV64B-25SI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 200NS IND TEMP PKG- 250NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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