參數(shù)資料
型號： AT-41532-BLK
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： AT-41532-BLK
AT-41532 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter,
Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.5
0.659
-79
13.43
4.696
0.75
0.540
-108
11.41
3.720
1.0
0.456
-131
9.64
3.034
1.5
0.387
-169
6.81
2.190
2.0
0.371
162
4.74
1.726
3.0
0.387
116
1.91
1.247
4.0
0.428
79
0.01
1.001
5.0
0.472
49
-1.31
0.860
6.0
0.494
28
-1.96
0.798
7.0
0.490
13
-1.95
0.799
8.0
0.489
2
-1.81
0.812
9.0
0.506
-10
-1.84
0.810
10.0
0.541
-22
-2.07
0.788
11.0
0.634
-33
-2.46
0.754
12.0
0.670
-39
-3.23
0.689
S
12
Mag
0.055
0.065
0.070
0.082
0.104
0.191
0.320
0.475
0.627
0.762
0.840
0.863
0.841
0.786
0.729
S
22
Ang
121
103
89
69
53
27
dB
-25.16
-23.78
-23.06
-21.69
-19.63
-14.40
-9.89
-6.47
-4.05
-2.36
-1.51
-1.28
-1.51
-2.09
-2.75
Ang
53
48
48
55
63
67
56
38
17
-5
-29
-51
-71
-90
-105
Mag
0.836
0.774
0.738
0.705
0.694
0.685
0.673
0.635
0.556
0.448
0.388
0.408
0.462
0.539
0.625
Ang
-18
-22
-24
-30
-37
-54
-75
-100
-131
-170
141
96
62
35
7
-8
-20
-33
-48
-64
-80
-94
-109
6
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter,
Z
O
= 50
, 5 V, I
C
= 2 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.35
0.48
0.51
0.60
0.65
0.70
0.74
Ang
100
178
-166
-137
-112
-92
-73
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.2
1.5
1.6
1.9
2.2
2.5
2.9
8.5
3.4
3.7
8.8
21.7
44.6
79.5
13.5
10.6
9.7
8.8
7.8
7.1
6.0
Figure 13. Gain vs. Frequency at
5 V, 2 mA.
Note: dB(|S
21
|) = 20*log(|S
21
|)
Γ
opt
gmax
dB(S|2,1|)
k
-5
25
15
20
5
0
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.2
0.8
1
0.2
0.4
0.6
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
(k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT-41532-TR1 NPN SILICON TRANSISTOR
AT41532 NPN SILICON TRANSISTOR
AT-42000 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-42000-GP4 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-635 Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT-41532-BLKG 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41532-TR1 功能描述:IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
AT-41532-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41532-TR2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
AT-41532-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*