參數(shù)資料
型號： AT-41532-BLK
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： AT-41532-BLK
AT-41532 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter,
Z
O
= 50
, V
CE
= 2.7 V, I
C
= 5 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.5
0.400
-102
17.03
7.106
0.75
0.312
-130
14.15
5.101
1.0
0.270
-152
11.97
3.969
1.5
0.247
175
8.82
2.762
2.0
0.253
149
6.67
2.154
3.0
0.280
112
3.86
1.559
4.0
0.323
80
2.07
1.269
5.0
0.379
55
0.80
1.097
6.0
0.434
38
-0.13
0.986
7.0
0.480
24
-0.72
0.920
8.0
0.522
10
-1.20
0.871
9.0
0.557
-5
-1.64
0.828
10.0
0.595
-19
-2.17
0.779
11.0
0.662
-29
-2.38
0.761
12.0
0.709
-39
-3.56
0.664
S
12
Mag
0.050
0.064
0.079
0.111
0.148
0.238
0.347
0.471
0.595
0.711
0.788
0.820
0.808
0.756
0.705
S
22
Ang
106
91
80
64
50
26
dB
-25.97
-23.86
-22.09
-19.10
-16.60
-12.48
-9.19
-6.55
-4.50
-2.96
-2.07
-1.73
-1.86
-2.43
-3.03
Ang
59
60
61
63
62
55
43
27
Mag
0.671
0.615
0.588
0.564
0.553
0.535
0.514
0.472
0.398
0.309
0.299
0.366
0.449
0.533
0.633
Ang
-22
-24
-25
-30
-37
-54
-75
-99
-130
-174
131
87
55
27
6
-12
-28
-43
-58
-72
-87
-99
-115
9
-11
-32
-53
-73
-92
-107
3
Figure 11. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 5 mA.
Note: dB(|S
21
|) = 20*log(|S
21
|)
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 2.7 V, I
C
= 5 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.283
0.41
0.44
0.53
0.60
0.67
0.71
Ang
106
-165
-151
-126
-106
-86
-69
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.2
1.4
1.5
1.7
1.9
2.2
2.5
7.3
3.9
4.8
9.2
18.4
35.0
58.0
14.0
10.7
9.8
8.5
7.5
6.6
5.8
Γ
opt
gmax
dB(S|2,1|)
k
-5
25
15
20
5
0
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.2
0.8
1
0.2
0.4
0.6
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
(k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT-41532-TR1 NPN SILICON TRANSISTOR
AT41532 NPN SILICON TRANSISTOR
AT-42000 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-42000-GP4 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
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參數(shù)描述
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AT-41532-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41532-TR2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
AT-41532-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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