參數(shù)資料
型號(hào): AS4C1M16F5-50TI
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: 5V 1M X 16 CMOS DRAM
中文描述: 5V的100萬× 16的CMOS內(nèi)存
文件頁數(shù): 20/21頁
文件大?。?/td> 485K
代理商: AS4C1M16F5-50TI
AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
Alliance Semiconductor
P. 20 of 21
Capacitance
15
Parameter
= 1 MHz, T
a
= Room temperature
Test conditions
Max
AS4C1M16F5 ordering information
Package \
RAS
access time
Symbol
Signals
Unit
Input capacitance
C
IN1
C
IN2
C
DQ
A0 to A9
V
in
= 0V
V
in
= 0V
V
in
= V
out
= 0V
5
pF
RAS
,
UCAS
,
LCAS
,
WE
,
OE
7
pF
DQ capacitance
DQ0 to DQ15
7
pF
50 ns
60 ns
Plastic SOJ, 400 mil, 42-pin
5V
AS4C1M16F5-50JC
AS4C1M16F5-50JI
AS4C1M16F5-60JC
AS4C1M16F5-60JI
TSOP II, 400 mil, 44/50-pin
5V
AS4C1M16F5-50TC
AS4C1M16F5-50TI
AS4C1M16F5-60TC
AS4C1M16F5-60TI
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. ambient temperature T
a
Output voltage (V)
0.0
1.5
2.0
1.0
0.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output sink current I
OL
vs. output voltage V
OL
Output voltage (V)
0.0
3.0
4.0
2.0
1.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output source current I
OH
vs. output voltage V
OH
H
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
20
60
80
40
100
120
140
H
Typical hyper page mode current I
CC4
vs. ambient temperature T
a
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.0
20
60
80
40
100
120
140
Typical hyper page mode current I
CC4
vs. supply voltage V
CC
-50
-60
-50
-60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C1M16F5-60JC 5V 1M X 16 CMOS DRAM
AS4C1M16F5-60JI 5V 1M X 16 CMOS DRAM
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AS4C1M16F5-60TI 5V 1M X 16 CMOS DRAM
ASG402 DC-3000 MHz SiGe HBT Amplifier
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參數(shù)描述
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AS4C1M16S-6TCN 功能描述:IC SDRAM 16MBIT 166MHZ 50TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM 存儲(chǔ)容量:16Mb (1M x 16) 時(shí)鐘頻率:166MHz 寫周期時(shí)間 - 字,頁:2ns 訪問時(shí)間:5.4ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:50-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:50-TSOP II 標(biāo)準(zhǔn)包裝:117