參數(shù)資料
型號： APTGU70H60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 193K
代理商： APTGU70H60T
APTGU70H60T
A
PT
G
U
70
H
60
T
–
R
ev
0
M
ay
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
100
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
70
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
210
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
390
W
SSOA
Switching Safe Operating Area
Tj = 150°C
210A @ 600V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
OUT1
OUT2
NTC1
NTC2
G3
E3
VBUS
G1
E1
G4
G2
E2
0/VBUS
E4
VCES = 600V
IC = 70A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Power MOS 7 Punch Through (PT) IGBT
-
Low conduction loss
-
Ultra fast tail current shutoff
-
Low gate charge
-
Switching frequency capability in the 200kHz
range
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
Full - Bridge
PT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV100H60T3G 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV15H120T3G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV25H120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV30H60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60T3G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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