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APTGV15H120T3G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTGV15H120T3G
    APTGV15H120T3G

    APTGV15H120T3G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT NPT BST CHOP FU

  • 22+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
APTGV15H120T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類(lèi)型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無(wú)
  • 安裝類(lèi)型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGV15H120T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 150A 340W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV100H60BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGTQ50TA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:125W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGTQ200SK65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGTQ200DA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK
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