參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100SK120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 179K
代理商： APTGT100SK120D1G
APTGT100SK120D1G
APTG
T100SK120
D1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
3- 4
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.24
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.48
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
4000
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
D1 Package outline (dimensions in mm)
Typical Performance Curve
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100 120 140
IC (A)
Fm
ax
,Oper
at
ing
Fr
eque
ncy
(
k
H
z
)
VCE=600V
D=50%
RG=7.5
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lIm
peda
nce
(
°C/W)
Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100SK170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT100SK170DG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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