參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100SK120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 179K
代理商： APTGT100SK120D1G
APTGT100SK120D1G
APTG
T100SK120
D1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
2- 4
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
3
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 100A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 4mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
300
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
7
Coes
Output Capacitance
0.4
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.33
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=100A
VCE=600V
950
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
250
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 7.5Ω
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 7.5Ω
180
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
7.5
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 7.5Ω
Tj = 125°C
17.5
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
400
A
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
100
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
9
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
18
C
Tj = 25°C
5
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 100A
VR = 600V
di/dt =2000A/s
Tj = 125°C
9
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100SK170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T1G 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T3AG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100TA60P 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT100SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100SK170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
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APTGT100SK170DG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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