參數(shù)資料
型號(hào)： APTGL325SK120D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 209K
代理商： APTGL325SK120D3G
APTGL325SK120D3G
APT
G
L
325SK120
D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.8
2.2
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 300A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 11mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
18.6
Coes
Output Capacitance
1.16
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1
nF
QG
Gate charge
VGE= -8V / 15V ; VCE=600V
IC=300A
1.7
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
200
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
380
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 300A
RG = 1.5Ω
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
220
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
450
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 300A
RG = 1.5Ω
80
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
TJ = 150°C
27
mJ
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 300A
RG = 1.5Ω
TJ = 150°C
29
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤10s ; Tj = 150°C
1200
A
Diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 150°C
2000
A
IF
DC Forward Current
TC = 80°C
300
A
Tj = 25°C
1.7
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 300A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.65
V
Tj = 25°C
155
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
300
ns
Tj = 25°C
29
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
61
C
Tj = 25°C
13
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 300A
VR = 600V
di/dt = 7000A/s
Tj = 150°C
24
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGL475DA120D3G IGBT
APTGL700U120D4G 910 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT100DU60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGL40X120T3AMG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:APTGL40X120T3AMG - Bulk
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APTGL475DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 610A 2080W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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