參數(shù)資料
型號： APTGF50TL60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： APTGF50TL60T3G
APTGF50TL60T3G
APT
G
F50TL
60T
3G
–
Rev
0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
5- 8
Q1 to Q4 Typical performance curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
01234
Ic
,Colle
ctor
Curre
nt
(A)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
01
2
3
45
67
8
9
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,Colle
ctor
Curre
nt
(A)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
Coll
ect
or
to
Em
itt
e
rB
re
akdown
V
o
lt
a
g
e
(Norm
a
li
z
ed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
to
E
m
it
ter
V
o
lt
ag
e
(V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
0123
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50VDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3G 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DA60D1 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50VDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50VDA60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF50X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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