參數(shù)資料
型號： APTGF50TDU120P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module
中文描述： 三雙共源不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 327K
代理商： APTGF50TDU120P
APTGF50TDU120P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
=15V
20
60
100
140
180
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V, R
G
= 5
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
10
20
30
40
50
Gate Resistance (Ohms)
S
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
25
T
J
, Junction Temperature (°C)
50
75
100
125
S
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50X120E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120TE3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X60BTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X60RTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50TDU120PG 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50TL60T3G 功能描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50VDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50VDA60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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