參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50TDU120P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module
中文描述： 三雙共源不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 327K
代理商： APTGF50TDU120P
APTGF50TDU120P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Test Conditions
Min
1200
Typ
60
2
2.3
1.8
Max
250
500
2.5
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 70°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1200V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
A
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
400
470
1200
4000
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 60A
V
R
= 800V
di/dt =200A/μs
nC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
Typ
Max
0.4
0.9
150
125
100
5
250
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
M6
N.m
g
5 places (3:1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50X120E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120TE3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X60BTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X60RTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50TDU120PG 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50TL60T3G 功能描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50VDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50VDA60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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