參數(shù)資料
型號： APTGF30H60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： APTGF30H60T1G
APTGF30H60T1G
APTG
F30H60T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
6 – 6
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
1020
3040
50
C
,Ca
p
ac
itance
(p
F)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
erm
al
Im
pedan
ce
(°
C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
280
0
1020
3040
50
IC, Collector Current (A)
F
max
,Operati
n
g
F
req
uency
(
kH
z)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 6.8
TJ = 125°C
TC= 75°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGF30TL60T3G 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF360U60D4G 450 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50A120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50A120T3WG 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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