參數(shù)資料
型號: APTGF300DA120D3G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 212K
代理商: APTGF300DA120D3G
APTGF300DA120D3G
APT
G
F300DA120D3G
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
*
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
150
300
450
600
0123
456
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
150
300
450
600
01
234
56
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
150
300
450
600
56789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
20
40
60
80
0
150
300
450
600
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 3.3
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 300A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
150
300
450
600
750
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=3.3
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
n
c
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關PDF資料
PDF描述
APTGF300DU120G 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF30H60T1G 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF30TL60T3G 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF360U60D4G 450 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50A120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF300DU120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
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APTGF300DU120G_07 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Common Source NPT IGBT Power Module
APTGF300SK120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module