參數資料
型號： APTGF15H120T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數： 5/6頁
文件大?。?/td> 329K
代理商： APTGF15H120T3
APTGF15H120T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
50
55
60
65
70
75
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 33
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
200
250
300
350
400
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 33
V
GE
=15V
0
40
80
120
160
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 33
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V, R
G
= 33
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
10
15
20
25
30
35
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
V
CE
= 600V
R
G
= 33
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 33
Eon, 15A
Eoff, 15A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
20
40
60
80
100
120
Gate Resistance (Ohms)
S
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
0
400
800
1200
I
C
,
Minimum Switching Safe Operating Area
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
相關PDF資料
PDF描述
APTGF15X120E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF10X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF10X60RTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
相關代理商/技術參數
參數描述
APTGF15H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF15X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF15X120P2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120P2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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